商品名称:IXXN110N65B4H1
データマニュアル:IXXN110N65B4H1.PDF
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:SOT-227B
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IXXN110N65B4H1 650V XPT™高速トレンチIGBTは、特にハード・スイッチング・アプリケーションにおいて、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えるように設計されています。 高速トレンチIGBTは、最大60kHzまでのさまざまなスイッチング速度範囲に最適化されています。 デバイスは、IXYSの超高速Sonic-FRD™ダイオードとのコ・パッケージも可能です。 この製品ファミリーのデバイスの電流定格は、+110℃の高温で30A~200Aです。
製品属性
IGBTタイプ:PT
構成: Single
電圧 - コレクタ絶縁破壊(最大): 650 В
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 215 A 215 A
電力 - 最大: 750 W
異なるVgeでのVce(導通)、Ic(最大): 15 Vで2.1 V、110 A
電流 - コレクタ遮断(最大): 50 µA
入力キャパシタンス(Cies)(各Vce時): 3.65 nF @ 25 V
入力: 標準
NTCサーミスタ:なし
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ:シャーシマウント
パッケージ/ケース:SOT-227-4、miniBLOC
納入範囲: SOT-227B
アプリケーション
● バッテリーチャージャー
● ランプ安定器
● モータドライバ
● パワーインバータ
● 力率改善(PFC)回路
● スイッチング電源
● 無停電電源装置(UPS)
● 溶接機
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IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。連絡先電話:86-755-83294757
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