商品名称:IXXN110N65B4H1
データマニュアル:IXXN110N65B4H1.PDF
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:SOT-227B
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IXXN110N65B4H1 650V XPT™高速トレンチIGBTは、特にハード・スイッチング・アプリケーションにおいて、導通損失とスイッチング損失を最小限に抑えるように設計されています。 高速トレンチIGBTは、最大60kHzまでのさまざまなスイッチング速度範囲に最適化されています。 デバイスは、IXYSの超高速Sonic-FRD™ダイオードとのコ・パッケージも可能です。 この製品ファミリーのデバイスの電流定格は、+110℃の高温で30A~200Aです。
製品属性
IGBTタイプ:PT
構成: Single
電圧 - コレクタ絶縁破壊(最大): 650 В
電流 - コレクタ(Ic)(最大): 215 A 215 A
電力 - 最大: 750 W
異なるVgeでのVce(導通)、Ic(最大): 15 Vで2.1 V、110 A
電流 - コレクタ遮断(最大): 50 µA
入力キャパシタンス(Cies)(各Vce時): 3.65 nF @ 25 V
入力: 標準
NTCサーミスタ:なし
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ:シャーシマウント
パッケージ/ケース:SOT-227-4、miniBLOC
納入範囲: SOT-227B
アプリケーション
● バッテリーチャージャー
● ランプ安定器
● モータドライバ
● パワーインバータ
● 力率改善(PFC)回路
● スイッチング電源
● 無停電電源装置(UPS)
● 溶接機
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
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ixsh80n120l2khv 1項は1200 v炭化ケイ素パワーmosfetトランジスタ、その導通抵抗(rds (on)は30 mオメガ、これは導通の状態で、素子の抵抗が少ない、エネルギーを減らすのに役立つ読んだり。同ixsh80n120l2khv素子が効率に適用、急速にスイッチと低読んだりの応用、车上充…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHVは工業グレードのSiC MOSFETで、耐圧値は1200Vで、低オン抵抗と高速スイッチング特性を備えており、高出力アプリケーションシーンに適しています。ixsh40n120l2khvの低い導通を持つ抵抗を減らすのに役立つエネルギーを読んだり、システムの効率を高める…IXSA80N120L2-7
ixsa80n120l2-7は工業グレード、単スイッチSiC MOSFETで、低損失、速い切り替えの特性を持っていて、高速工業スイッチモード電源供給に適しています。主な特性です低い導通読んだり:ixsa80n120l2−7の導通読んだりが低く、具体的には30 mオメガである。低いゲート駆動出…IXSA40N120L2-7
ixsa40n120l2-7は工業グレードの単管炭化シリコンMOSFET (SiC MOSFET)で、優れたパワーサイクル特性と高速、低損失のスイッチング動作を備えています。応用分野ですixsa40n120l2-7は、以下のような高出力および高周波数アプリケーションシーンに適しています。ソーラー・…連絡先電話:86-755-83294757
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