商品名称:STGW75H65DFB2-4
データマニュアル:STGW75H65DFB2-4.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
stgw75h65dfb2-4 650V HB2シリーズIGBTは高度なプロプライエタリな溝ゲートフィールドオフ構造の進化を表します。低電流値でのVCE (sat)特性の向上とスイッチングエネルギーの低減により、導通性能が最適化されています。この製品は溶接、力率校正、無停電電源、太陽光インバータ、充電器などの設備に広く使われています。
スペックです
IGBTタイプ:溝型フィールドオフです
電圧-輻射破壊(最大値):650 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):115 Aです
電流-集電パルス(Icm): 225 Aです
異なるVge、Ic時Vce(on)(最大値):2V @ 15V, 75A
出力-最大値:357 Wです
スイッチのエネルギーは992µJ(オン),766µJ(オフ)です
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:207 nCです
25°CでTd(オン/オフ)値は22ns/121nsです。
試験条件:400V, 75A, 10オーム,15Vです。
逆リカバリ時間(trr): 88 nsです。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ハウジング:to-247-4です。
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-4です。
基本品番:STGW75です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
TO-247-3
10000
ARM® Cortex®-M0 STM32F0 マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 48MHz 256KB(256K x 8)フラッシュメモリ
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