商品名称:NTBG022N120M3S
データマニュアル:NTBG022N120M3S.PDF
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:D2PAK-7L
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
NTBG022N120M3S 1200V M3SシリーズSiC(炭化ケイ素)MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション向けに最適化されており、ドレイン・ソース間のオン抵抗が22mΩと低くなっています。M3SシリーズSiC MOSFETは、18Vゲートドライバで駆動した場合に最適な性能を発揮しますが、15Vゲートドライバでも使用できます。 このデバイスは、負のゲート電圧駆動とターンオフ・スパイクのゲートで信頼性の高い動作を実現するプレーナ技術を使用しています。
オン・セミコンダクターのNTBG022N120M3S 1200V M3SシリーズSiC MOSFETは、低コモンソース・インダクタンスのD2PAK-7Lパッケージで入手できます。
特長
高速スイッチング・アプリケーション用に最適化
低スイッチング損失
40A、800Vでの典型的なターンオン・スイッチング損失は485µJ
最高の性能を発揮する18V、IGBTドライバ回路との互換性を考慮した15V
100%アバランシェ試験済み
より高い電力密度
予期せぬ突入電圧スパイクやリンギングに対する耐性が向上
用途
AC-DC変換
DC-AC変換
DC-DC変換
スイッチモード電源(SMPS)
UPS
電気自動車充電器
ソーラー・インバータ
エネルギー貯蔵システム
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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