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UG4SC075011K4S

製品の説明:750V、10mΩコンボFET、SiC JFET、Si MOSFET付き

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UG4SC075005L8S

製品の説明:750V, 5.0mOhm組み合わせ電界効果トランジスタ,SiC JFET w/ Si MOSFETです

パッヶージ:MO-229-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UG4SC075009K4S

製品の説明:750V、8.4mOhm組み合わせ電界効菓トランジスタ、SiCJFETw/SiMOSFET

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
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10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075060L8SSB

製品の説明:750V 58 mΩ SiC FETトランジスタ

パッヶージ:MO-229-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075060L8SSR

製品の説明:750V 58 mΩ SiC FETトランジスタ

パッヶージ:MO-229-8
10起
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10 +
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50 +
>=100
UJ4C075044L8SSB

製品の説明:750V 44 mΩ SiC FETトランジスタ

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10起
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1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075044L8SSR

製品の説明:750V 44 mΩ SiC FETトランジスタ

パッヶージ:MO-229-8
10起
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UJ4C075033L8SSR

製品の説明:750V 33 mΩ SiC FETトランジスタ

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10起
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製品の説明:750V 33 mΩ SiC FETトランジスタ

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製品の説明:750V 23mohm SiC FETトランジスタ

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製品の説明:750V 23mohm SiC FETトランジスタ

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製品の説明:750V、10.7mΩ SiC FETトランジスタ

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製品の説明:750V、10.7mΩ SiC FETトランジスタ

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UF4SC120030B7SSR

製品の説明:1200V、30mΩ G4 SiC FETディスクリートトランジスタ

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UF4SC120030B7SSB

製品の説明:1200V、30mΩ G4 SiC FETディスクリートトランジスタ

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製品の説明:1200V、30mΩ G4 SiC FETディスクリートトランジスタ

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