商品名称:UF4SC120030B7S
ブランド:Qorvo
年:24+
パッヶージ:D2PAK-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
UF4SC120030B7S - 1200V、30mΩ G4 SiC FETディスクリートトランジスタ
自動アセンブリが可能な省スペースのD2PAK-7Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと卓越した逆回復特性を示し、誘導負荷のスイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。
製品属性
製品 SiC FET
テクノロジー SiC
Vf - 順電圧: 1.35 V
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 20 V、+ 20 V
実装スタイル SMD/SMT
パッケージ/ケース D2PAK-7
構成: カスコード
立ち下がり時間: 11 ns
Id-連続ドレイン電流: 56 A
チャンネル数 1チャネル
Pd - 許容損失: 341 W
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗: 39 mOhms
立ち上がり時間:20 ns
トランジスタの極性 Nチャンネル
標準ターンオフ遅延時間:62 ns
標準ターンオン遅延時間:26 ns
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧:1.2 kV
Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧: 6 V
主な特長
オン抵抗 RDS(on): 30 mΩ (typ)
動作温度 175℃(最大)
優れた逆回復性 Qrr = 164nC
低ボディダイオードVFSD: 1.22V
低ゲートチャージ QG = 37.8nC
低固有容量
ESD保護: HBMクラス2
代表的アプリケーション
EV充電
PVインバータ
スイッチモード電源
力率改善回路
DC-DCコンバータ回路
誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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