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IPL65R165CFD

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 650 V 21.3A(Tc) 195W(Tc) PG-VSON-4

パッヶージ:PG-VSON-4
10起
7500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW65R110CFD

製品の説明:スルーホール Nチャンネル 650 V 31.2A(Tc) 277.8W(Tc) PG-TO247-3-41

パッヶージ:PG-TO247-3
10起
24000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STM32F042F4P6

製品の説明:OptiMOS™ 3 パワートランジスタ、200V

パッヶージ:PG-TDSON-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB029N15NM6

製品の説明:OptiMOS™ 6 パワーMOSFET 150Vノーマルレベル D²PAK 3ピンパッケージ

パッヶージ:PG‑TO263‑3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBGS001N06C
ON

製品の説明:シングルNチャネルパワーMOSFET、60V、1.1mΩ、342A、D2PAK7

パッヶージ:D2PAK-7
10起
3500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMJST1D4N06CLTXG
ON

製品の説明:シングルNチャネルパワーMOSFET60V、198A、1.49mΩ

パッヶージ:TCPAK57
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS2D1N08XT1G
ON

製品の説明:シングルNチャネルパワーMOSFET80V、181A、2.1mΩ

パッヶージ:DFNW-5
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC0901NSI

製品の説明:MOSFET Nチャンネル 30V 100A TDSON-8

パッヶージ:TDSON-8
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW14NK50Z
ST

製品の説明:Nチャンネル 500V - 0.34Ω - 14A - TO-247 SuperMESH(TM) パワーMOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPW60R120P7

製品の説明:スルーホール Nチャンネル 600 V 26A(Tc) 95W(Tc) PG-TO247-3

パッヶージ:PG-TO247-3
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC010N04LST

製品の説明:シャットダウン付き500Vハイサイド/ローサイド・ゲート・ドライバIC

パッヶージ:TDSON-8
10起
26800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH5215TRPBF

製品の説明:PQFN 5x6パッケージの150VシングルチャネルNチャネルStrongIRFET™パワーMOSFETを採用しました。

パッヶージ:PQFN-8
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STW35N60DM2
ST

製品の説明:Nチャネル600 V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2パワーMOSFETです。

パッヶージ:TO-247-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP051N15N5

製品の説明:OptiMOS™5 パワートランジスタ、150V

パッヶージ:TO-220-3
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB042N10N3G

製品の説明:D2PAKパッケージの100V OptiMOS™3パワーMOSFETを採用しています。

パッヶージ:D2PAK
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH7084TRPBF

製品の説明:PQFN 5x6パッケージの40VシングルNチャンネルStrongIRFET™パワーMOSFET

パッヶージ:PQFN-8
10起
25000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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