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製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)5μs Short-Circuit Tolerance,650 V30 A,FRD Built-in,TO-247 GE
パッヶージ:TO-247GE製品の説明:NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:自動車用NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1700 V 3.7A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-3PFM-3製品の説明:650V 118A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200 V、567 A、ハーフブリッジトレンチMOS内蔵フルSiCパワーモジュール
パッヶージ:Module製品の説明:ナノcap、ecogan、650 vオメガ2 mhz gan hemt出力70 m級のic
パッヶージ:VQFN-46製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET表面装着型Nチャンネル1200 V 17A (Tj) to-263 -7LA
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET表面装着型Nチャンネル1200 V 17A (Tc) to-263 -7LA
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル650 V 39A (Tj) 165W to-247-4 l
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル650 V 30A (Tj) 134W to-247-4 l
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル650 V 30A (Tc) 134W to-247n
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 24A (Tj) 134W to-244-4 lです
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャンネル1200 V 24A (Tc) 93W to-263 -7LAです
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