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製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)PT MOS8 Combi900 V80 A TO-264
パッヶージ:TO-264-3製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V75 A TO-264
パッヶージ:TO-264-3製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)PT MOS7 Single1200 V35 A TO-247
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi1200 V35 A TO-264 MAX
パッヶージ:TO-264-3製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V100 A TO-264
パッヶージ:TO-264-3製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)IGBT Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)FG,IGBT-COMBI,600 V,TO-264 MAX,RoHS
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:700V炭化珪素パワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1200V炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:D3PAK-3製品の説明:700V炭化珪素パワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:D3PAK-3製品の説明:1200V、HPD、三相ブリッジ+ドライブ全オプションハイブリッドドライブmSiC™MOSFETモジュールです
パッヶージ:Module製品の説明:1200 v、180 m nトレンチmosfetオメガ炭化ケイ素(sic)
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:700 v、60 m nトレンチmosfetオメガ炭化ケイ素(sic)
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1200 v、360 m nトレンチmosfetオメガ炭化ケイ素(sic)
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