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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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APT80GA90LD40

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)PT MOS8 Combi900 V80 A TO-264

パッヶージ:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT75GN60LDQ3G

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V75 A TO-264

パッヶージ:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT50GN60BDQ2G

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247

パッヶージ:TO-247-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT35GP120BG

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)PT MOS7 Single1200 V35 A TO-247

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT35GN120L2DQ2G

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi1200 V35 A TO-264 MAX

パッヶージ:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT100GN60LDQ4G

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)Field stop Low Frequency Combi600 V100 A TO-264

パッヶージ:TO-264-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT50GN60BDQ3G

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)IGBT Field stop Low Frequency Combi600 V50 A TO-247

パッヶージ:TO-247-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
APT65GP60L2DQ2GQ

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)FG,IGBT-COMBI,600 V,TO-264 MAX,RoHS

パッヶージ:TO-247-3
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC080SMA120SA

製品の説明:1200V炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SA

製品の説明:700V炭化珪素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC040SMA120SD

製品の説明:1200V炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:D3PAK-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC035SMA070SC

製品の説明:700V炭化珪素パワーMOSFETトランジスタ

パッヶージ:D3PAK-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSCSM120X10CTYZBNMG

製品の説明:1200V、HPD、三相ブリッジ+ドライブ全オプションハイブリッドドライブmSiC™MOSFETモジュールです

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC180SMA120SDT

製品の説明:1200 v、180 m nトレンチmosfetオメガ炭化ケイ素(sic)

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC060SMA070SDT

製品の説明:700 v、60 m nトレンチmosfetオメガ炭化ケイ素(sic)

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MSC360SMA120SCT

製品の説明:1200 v、360 m nトレンチmosfetオメガ炭化ケイ素(sic)

パッヶージ:PSMT-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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