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tp65h300g4lsgb 650 v 240 mオメガ窒化ガリウム(gan) fetは瑞薩電子使用gen-a / b ivプラットホーム構築のよく素子をつぶる。TP65H300G4LSGBは、最先端の高電圧GaN HEMTと低電圧シリコンMOSFET技術を組み合わせ、優れた信頼性とパフォーマンスを提供します。

TP65H300G4LSGBは、業界標準のPQFN88パッケージを採用し、Kelvinソースと汎用ソースのパッケージ構成を備えています。

製品の属性。

トランジスタの極性はn-channelです

チャンネル数:1チャンネルです。

Vdsドレインソース破壊電圧:650 Vです

Id-連続ドレイン電流6.5 Aです

Rds Onドレイン・ソース・オン抵抗:312 mOhmsです

Vgsゲートソース電圧は- 12 V + 12 Vです

Vgs th-ゲートソース阈値電圧:2.8 Vです

qg-ゲート電荷:8.8 nCです

最小動作温度:- 55 Cです。

最大動作温度:+ 150 Cです。

インストールスタイル:SMD/SMTです。

パッケージ:pqfn-8です。

Pd-電力散逸:21 Wです

チャンネルモード:Enhancementです

構成:Cascodeです

降下時間:4.8 nsです

製品タイプ:GaN FETsです

立ち上がり時間4.6 nsです

技術:GaNです

タイプ:GaN HEMTです

典型的なオフ遅延時間:27.4 nsです。

典型的なオン遅延時間:33 nsです。

応用シーンです

TP65H300G4LSGBは主に家電製品,電源アダプタ,低消費電力SMPS,照明機器に使われます。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。