UCC5390ECDWVR は、テキサス・インスツルメンツが開発した単一チャネル絶縁型ゲートドライバーで、8-SOIC パッケージを採用し、高電圧・高ノイズ環境下でのパワースイッチングデバイス(IGBT、SiC MOSFET、GaN FET など)の駆動用に設計されています。主な特徴として、3kVrms の絶縁電圧、10A のピーク出力電流、100kV/µs の共模過渡耐性(CMTI)を挙げられ、産業用電源、モーター駆動、太陽光発電インバーター、電気自動車充電システムなどへの応用が可能です135。
UCC5390ECDWVR の主要な特性
高絶縁電圧:3000Vrms(1分間)、UL 1577、VDE V 0884-11 の安全認証に準拠。
容量結合絶縁技術を採用し、絶縁層の寿命は40年以上。
高速駆動能力:10Aのピーク出力電流で、SiC/GaNパワーデバイスを高速にスイッチング可能。
伝播遅延 ≤100ns、上昇/下降時間 10nsで、高周波スイッチング効率を最適化。
強力な耐干渉性能:CMTI ≥100kV/µsで、ノイズによる誤動作を防止。
入力側で-5Vの負圧耐性をサポートし、システムの堅牢性を向上。
広範囲の電源電圧:入力電圧 3V~15V、駆動側電圧 13.2V~33V、多様なパワーアーキテクチャに対応。
産業用レベルの信頼性:動作温度 -40°C~+125°C、過酷な環境下でも使用可能。
CQC、CSA、VDE などの認証に準拠。
UCC5390ECDWVR 製品属性
製品種類: 電流絶縁型ゲートドライバー
シリーズ: UCC5390
取り付け方式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOIC-8
最小動作温度: -40°C
最大動作温度: +125°C
Pd-電力消費: 1.04 W
伝播遅延—最大値: 100 ns
立ち上がり時間: 10 ns
立ち下がり時間: 10 ns
論理タイプ: CMOS
湿度感度: Yes
ドライバー数: 1 Driver
出力端子数: 1 Output
動作電源電流: 1.67 mA
出力電流: 10 A
出力電圧: 13.2 V~33 V
電源電圧-最大: 15 V
電源電圧-最小: 3 V
UCC5390ECDWVR 典型的な応用例
モータードライバー(産業用サーボ、電気自動車用駆動システム)
太陽光発電/蓄電用インバーター
高電圧DC-DCコンバーター
UPS無停電電源装置
電気自動車充電スタンド(OBC、DCDC)
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