ISO5851QDWRQ1 は、IGBT および MOSFET 用に設計された 5.7 kVRMS 強化型絶縁ゲートドライバーで、2.5A の引き込み電流容量と 5A の注入電流容量を備えています。入力側は 3V から 5.5V の単一電源で動作します。出力側の許容電源範囲は 15V から 30V です。2つの補完的なCMOS入力がゲートドライバーの出力状態を制御します。76nsの短い伝播時間は、出力段の正確な制御を保証します。
内蔵のデサチュレーション(DESAT)故障検出機能は、IGBTが過負荷状態にあるかどうかを検出します。DESATが検出されると、ゲートドライバーの出力はVEE2電位まで引き下げられ、IGBTを即座に遮断します。
デサチュレーション故障が発生した場合、デバイスは隔離ゲートを介して故障信号を送信し、入力側のFLT出力を低レベルに引き下げ、隔離器の入力を遮断します。FLTの出力状態はロックされ、RST入力に有効な低レベルパルスを適用することでリセット可能です。
ISO5851QDWRQ1 特性
• 自動車電子機器向け標準に適合
• AEC-Q100 標準に準拠した以下の結果:
– デバイス温度等級 1: -40°C から 125°C の環境動作温度範囲
– デバイス人体モデル (HBM) 分類等級 3A
– デバイス充電器モデル (CDM) 分類等級 C6
• VCM = 1500V 時の共模過渡耐性 (CMTI) の最小値は 100kV/μs
• 2.5A ピーク引き込み電流と 5A ピーク注入電流
• 短時間伝播遅延:76ns(典型値)、110ns(最大値)
• 2A アクティブミラークランプ
• 出力短絡クランプ
• 飽和解除故障を検出した際にFLT経由で故障アラームを発信し、RSTでリセット
• 入力および出力の低電圧ロックアウト(UVLO)に準備完了(RDY)ピン指示付き
• アクティブ出力プルダウン特性。低電源または入力浮遊時、デフォルトで低レベルを出力
• 3Vから5.5Vの入力電源電圧
• 15V から 30V の出力ドライバ電源電圧
• 互補型金属酸化物半導体 (CMOS) 互換入力
• 20ns 未満の入力パルスと過渡ノイズを抑制
• 耐サージ絶縁電圧は 12800VPK まで対応”
ISO5851QDWRQ1 アプリケーション
• 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) および金属酸化物
半導体フィールド効果トランジスタ (MOSFET) ドライバー:
– ハイブリッド電気自動車 (HEV) および電気自動車 (EV) 電源モジュール
– 産業用モーター制御ドライバー
– 産業用電源
– 太陽光発電インバーター
– 誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
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