商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:Diotec Semiconductor
年:25+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
DIF120SIC053-AQ: SiC MOSFETトランジスタ - 高速高電圧(パワー)スイッチ、TO-247-4
モデル: DIF120SIC053-AQ
パッケージ:TO-247-4
タイプ:SiC MOSFETトランジスタ
DIF120SIC053-AQ 製品特性:
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiCFET(炭化ケイ素)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 65A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 18V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 53 mOhm @ 33A、18V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4V @ 9.5mA
ゲート電荷(Qg)@Vgs(最大):121nC@15V
入力キャパシタンス(Ciss)@変動Vds(最大): 2070 pF@1000 V
許容損失(最大): 278 W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: スルーホール
パッケージ/ケース:TO-247-4
DIF120SIC053-AQの製品特長:
炭化ケイ素ワイドバンドギャップ材料
大きなギャップと沿面スペース
高速スイッチングと
ゲートノイズレベルの低減
低オン抵抗
高速スイッチング時間
低ゲートチャージ
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Diotec Semiconductorはドイツに本社を置く半導体会社で、1975年に設立され、40年以上のダイオードの研究開発と製造経験を持っている。会社はその専門技術と高品質の製品によって、電子部品の分野で名声を持っている。Diotec Semiconductorの主な製品は各種のダイオード、…
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