商品名称:TW070J120B,S1Q
データマニュアル:TW070J120B,S1Q.pdf
ブランド:TOSHIBA
年:23+
パッヶージ:TO-3P
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
TW070J120B,S1Qスイッチング電圧レギュレータアプリケーションのために設計された第3世代の炭化シリコンMOSFETです
製品仕様です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiCFET(炭化ケイ素)です
ドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 36A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 20Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):90ミリオ@ 18A, 20Vです。
Id別Vgs(th)(最大値):5.8V @ 20mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):67 nC @ 20 Vです。
Vgs(最大値):±25V, -10Vです。
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1680 pF @ 800 Vです。
FET機能:標準です
消費電力分散(最大値):272W (Tc)です。
働作温度:-55℃~ 175℃です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-3p (N)です。
パッケージ/ケース:to-3p-3, sc-65-3です
基本品番:TW070J120です。
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