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TW107N65C、S1F Nチャンネル650V 20A第3世代カーバイドMOSFETデバイスです

特性です:

(1)第3世代(SiCショットキーフォールダイオード内蔵)チップ設計です。

(2)ダイオード順方向電圧低下:VDSF = -1.35 V(タイプ)です。

(3)高電圧:VDSS = 650vです。

(4)漏源導通抵抗は低いrds (on) = 107 mオメガ(タイプ)

(5)しきい値電圧が高く、故障しにくい:Vth = 3.0 ~ 5.0 V(VDS = 10 V、ID = 1.2 mA)

(6)エンハンスメントモードです。

製品仕様です:

FETタイプ:Nチャネルです

技術:SiCFET(炭化ケイ素)です

リークソース電圧(Vdss): 650 Vです

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 20A (Tc)です

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):145ミリオ@ 10A, 18Vです。

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5V @ 1.2mAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):21 nC @ 18 Vです。

Vgs(最大値):+25V, -10Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):600 pF @ 400 Vです。

FET機能:-です

消費電力分散(最大値):76W (Tc)です。

動作温度:175℃です。

取り付けタイプ:貫通穴です

サプライヤーデバイスパッケージ:to-247です。

パッケージ/ハウジング:to-247-3です。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。