商品名称:SCT3022ALGC11
データマニュアル:SCT3022ALGC11.pdf
ブランド:ROHM
年:23+
パッヶージ:TO-247-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
SCT3022ALGC11は650V 93A (Tc) 339W (Tc) Nチャンネル炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ、スルーホールTO-247Nです。
SCT3022ALGC11の特長
低オン抵抗
高速スイッチング
高速逆回復
並列化が容易
駆動が簡単
鉛フリー鉛メッキ、RoHS対応
SCT3022ALGC11のアプリケーション
ソーラーインバータ
DC/DCコンバータ
ウィッチモード電源
誘導加熱
モータドライブ
SCT3022ALGC11 NチャンネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N チャネル 100 V 26A(Ta)、276A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
N チャネル 100 V 26A(Ta)、276A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHSON-8-U02
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 80V、PQFN 5x6ソースダウン・センターゲートDSCパッケージ、超低RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 60V、PQFN 5x6ソースダウン・センターゲートDSCパッケージ、業界最高レベルのRDS(on)を実現
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N チャネル 60 V 42A(Ta)、445A(Tc) 3W(Ta)、333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS™ パワーMOSFET 60 V、PQFN 5x6ソースダウンDSCパッケージ、業界最高レベルのRDS(on)を実現
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ローム株式会社は、世界有数の半導体メーカーであり、日本の京都に本社を置き、半導体、集積回路、その他の電子部品の設計と製造を行っています。 これらのコンポーネントは、急速に変化し、成長しているワイヤレス、コンピューター、自動車、家電市場での地位を確立して…
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TSX2HRC11の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フリ…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TSX2EHRC11の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フ…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TRX2HRC15の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フリ…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TRX2EHRC15の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フ…BM3G007MUV-LBE2
bm3g007muv-lbe2は、Nano Cap™650V GaN HEMTパワーステージICで、高出力密度と高効率が求められるさまざまな電子システムに適しています。650Vの強化されたGaN HEMTとシリコンドライバーが組み込まれています。特性です:Nano CAP™は5VのLDOを選択できます産業応用を長期…SCT3160KWATL
SCT3160KWATLは1200V、17A SiC(炭化ケイ素)溝MOSFETで、小型のto-263 -7パッケージを採用しています。耐高圧、低オン抵抗、高速スイッチング速度が特徴です。SCT3160KWATLの規格です:FETタイプ:Nチャネルです技術:SiCですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-…連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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