商品名称:AUIRF5210STRL
データマニュアル:AUIRF5210STRL.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:D2PAK
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1600 件
車載用として設計されたHEXFET®パワーMOSFETのセルラーデザインは、最新のプロセス技術を駆使し、単位面積当たりの低オン抵抗を実現しています。 この利点は、HEXFETパワーMOSFETの定評ある高速スイッチング速度や堅牢なデバイス設計と相まって、車載をはじめとする幅広いアプリケーションで使用できる非常に効率的で信頼性の高いデバイスを設計者に提供することができます。
特徴
先進的なプロセス技術
PチャンネルMOSFET
超低オンステート抵抗
ダイナミックな dv/dt 定格
高速スイッチング
フルアバランシェ定格
Tjmax までの繰り返しアバランシェが可能。
鉛フリー、RoHS対応
車載用要件に適合
製品仕様
モデル:AUIRF5210STRL
シリーズ:HEXFET®(ヘックスフェット
FETタイプ:Pチャンネル
技術:MOSFET(メタルオキサイド)
ドレインソース電圧(Vdss):100 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):38 A (Tc)
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On):10 V
異なるId、Vgsに対するオン抵抗(最大): 60ミリオーム@38A、10V
異なるIdに対するVgs(th)(最大):4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)、Vgs違い(最大):230nC@10V
Vgs (最大): ±20V
入力容量(Ciss):2780 pF @ 25 V
FETの機能: -
電力損失(最大): 3.1 W(Ta)、170 W(Tc)。
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装タイプ
サプライヤー デバイスパッケージ: D2PAK
パッケージ/ケース:TO-263-3、D²Pak(2リード+タブ)、TO-263AB
基本部品番号: AUIRF5210
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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