商品名称:NV6133A
データマニュアル:NV6133A.pdf
ブランド:Navitas
年:23+
パッヶージ:QFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
NV6133A 製品概要
このGaNFast™パワーICは、高性能なeMode GaN FETとゲートドライバを統合し、これまでにない高周波と高効率の動作を実現しています。 また、GaNSense™技術を搭載しており、電圧、電流、温度をリアルタイムで正確に検知し、ディスクリートGaNやディスクリートシリコンデバイスでは不可能な性能と堅牢性をさらに向上させます。 また、GaNSense™は、システムの堅牢性を向上させるために短絡保護と過熱保護を実装し、自動スタンバイモードは、光、マイクロ、無負荷の効率を向上させます。 これらのGaN ICは、最高のdV/dt耐性、高速集積ドライバ、業界標準の薄型、低インダクタンス、SMT QFNパッケージを組み合わせ、設計者がシンプルで迅速かつ信頼性の高いソリューションを実装できるようにします。navitasのGaN IC技術は、フライバック、ハーフブリッジ、バック/ブースト、LLCなどの共振コンバータといった従来のトポロジの能力を以下のように拡張しています。 MHzを超える周波数に到達し、非常に魅力的なコスト構造で前例のない電力密度を達成するために、非常に高い効率と低いEMIを実現しています。
仕様
7、24、30ピン
9V〜24Vの電源電圧範囲
200V/ns dV/dtイミュニティ
800Vの過渡電圧
700Vの連続電圧
120mΩ〜450mΩの抵抗範囲
2MHz動作
6ns~12nsの立ち上がり時間範囲
3ns~7nsの立ち下がり時間範囲
11ns~25nsの最大伝搬遅延時間範囲
2KV ESD定格
-40℃~+125℃の動作温度範囲
用途
携帯電話
民生用
データセンター
再生可能エネルギー、太陽エネルギー
電気自動車・e-モビリティー
産業用モータードライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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G2R1000MT33J
g2r1000mt33j素子は一种の3300 v炭化ケイ素パワーmosfetトランジスタで、低い導通抵抗を1000 mオメガを減らすのに役立つエネルギーを読んだり、システムの効率を高める。基本パラメータです漏源电圧(vdss):3300 v連続漏極电流(id):4 a(25cで)駆動電圧(vgs):最大…NV6115-RA
NV6115-RAチップは、170mΩのリード抵抗、650Vの耐電圧、2MHzのスイッチング周波数をサポートし、面積を節約するために5*6mmのQFNパッケージで提供され、NV6115の内蔵ドライバのおかげで外付けドライバが不要となり、PCBの省スペース化がさらに進みます。GaNFastパワーIC…NV6117-RA
このNV6117-RA GaNFastパワー集積回路は、高周波ソフト・スイッチング・トポロジー向けに最適化されています。 電界効果トランジスタ、ドライバ、ロジックをモノリシックに集積することで、使いやすい「デジタル・イン、パワー・アウト」の高性能パワートレイン・ビルディNV6132A-RA
NV6132A-RA このGaNFast™パワーICは、高性能eMode GaN FETとゲートドライブを集積し、これまでにない高周波動作と高効率動作を実現します。GaNSense™技術も統合されており、電圧、電流、温度をリアルタイムで正確に検知し、ディスクリートGaNやディスクリートシリコンデ…NV6152-RA
NV6152-RA この GaNFast™ パワー IC は、高性能 eMode GaN FET とゲートドライブを集積し、これまでにない高周波動作と高効率動作を実現します。製品の特長GaNFast™ パワーIC- モノリシックに統合されたゲートドライブ- 広いVCC範囲(10~30V)- プログラム可能なターン…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast™パワーICは、高性能eMode GaN FETをゲートドライブ内蔵で集積しており、これまでにない高周波動作と高効率動作を実現します。特長モノリシックに統合されたゲート・ドライブ広いVCC範囲(10~30 V)プログラム可能なターンオンdV/dt200 V/ns dV/dtイミ…連絡先電話:86-755-83294757
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