商品名称:QH8MA4TCR
データマニュアル:QH8MA4TCR.pdf
ブランド:ROHM
年:23+
パッヶージ:TSMT8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:12000 件
特徴
1) 低オン抵抗
2) 小型表面実装パッケージ(TSMT8)
3) 鉛フリーメッキ、RoHS対応
4)ハロゲンフリー
用途
スイッチング
ロームコンダクタのシリコンパワーMOSFETは、0.9V~20Vの幅広い駆動電圧に対応しており、様々なアプリケーションに最適です。
QH8MA4TCRの製品特性について
製品タイプ: MOSFET
技術:Si
実装スタイル:SMD/SMT
パッケージ/ケース:TSMT-8
トランジスタの極性: Nチャンネル、Pチャンネル
チャンネル数:2チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:30 V
Id-連続ドレイン電流:9A、8A
Rds On - ドレインオン抵抗:12.3 mOhms, 22 mOhms
Vgs - ゲートソース電圧:-20 V, + 20 V
Vgs th - ゲートソース閾値電圧:1 V, 2.5 V
Qg - ゲート電荷量:15.5 nC, 19.6 nC
最小動作温度: - 55 C
最高動作温度:+ 150 C
Pd - 許容損失: 2.6 W
チャネルモード:エンハンスメント
コンフィグレーション:Dual
立ち下がり時間:7 ns、22 ns
順方向トランスコンダクタンス(最小):4.4 S、5.5 S
製品タイプ:MOSFET
立ち上がり時間:19 ns、16 ns
ファクトリーパック数量:3000
サブカテゴリー:MOSFET
トランジスタの種類:1 Nチャンネル、1 Pチャンネル
標準的なオフ遅延時間:33 ns、55 ns
標準的なターンオン遅延時間:8 ns、10 ns
品番の別名: QH8MA4
単位重量:10 mg
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ローム株式会社は、世界有数の半導体メーカーであり、日本の京都に本社を置き、半導体、集積回路、その他の電子部品の設計と製造を行っています。 これらのコンポーネントは、急速に変化し、成長しているワイヤレス、コンピューター、自動車、家電市場での地位を確立して…
RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13フィールド遮断チャネルIGBTは、低い集電電極-エミッタ飽和電圧、低いスイッチング損失、短絡耐性時間(5μs)を特徴とします。このIGBTは、高圧力下での確実な動作を保証します。高速ソフトリカバリFRDを内蔵して効率を高め、鉛フリーメッキはRoHS規格に準拠…SCT4062KWATL
SCT4062KWATLは、1200 V 24A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4062KWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4062KWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバ…SCT4045DWATL
SCT4045DWATLは、750 V 31A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4045DWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4045DWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバー…SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTLは、750 V 31Aの自動車用NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4045DWAHRTL の特長AEC-Q101規格に準拠低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4045DWAHRTL の用途自…SCT4026DWATL
SCT4026DWATLは、750 V 51A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4026DWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4026DWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバー…SCT2H12NZGC11
SCT2H12NZGC11は、1700 V 3.7 A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT2H12NZGC11の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度長い沿面距離駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠SCT2H12NZGC11の用途補助電源スイッチングモード電源連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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