商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:TOSHIBA
年:24+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
TW060Z120Cは、36A・1200Vの第3世代炭化ケイ素MOSFETのto-247-4パッケージです。
スペックです
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiCです
ドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 36A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):82ミリオ@ 18A, 18Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5V @ 4.2mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):46 nC @ 18 Vです。
Vgs(最大値):+25V, -10Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1530 pF @ 800 Vです
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):170W (Tc)です。
動作温度:175℃です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-4 l (X)です。
パッケージ/ハウジング:to-247-4です。
概説します
Toshiba 1200V第三世代カーバイドシリコンMOSFETは大電力の工業用途のために設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力の交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方向の直流-直流変換器です。
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TW140Z120C
TW140Z120Cはto-247-4パッケージ形式の20A、1200Vの第3世代炭化シリコンMOSFETです。大電力の工業用に設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光(PV)インバータ、無停電電源(UPS)用の双方向直流-直流コンバータなどです。TW140Z120Cの仕様です…TW045Z120C
TW045Z120C——40A、1200V第三世代炭化ケイ素MOSFETですFETタイプ:Nチャネルです技術:SiCですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-連続ドレイン(Id): 40A (Tc)です駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):62ミリオ@ 20A…TW015Z120C
TW015Z120Cは100A、1200Vの第三世代炭化シリコンMOSFETデバイスで、大電力の工業用途のために設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方向直流-直流変換器です。TW015Z120C(パラメーター)です…TW015Z65C
TW015Z65Cは100A、650Vの第3世代カーバイドMOSFETで、高電圧、高速スイッチ、低オン抵抗を備えています。このMOSFETは、高出力の工業用途に設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方向直流-…TW027Z65C
TW027Z65Cデバイスは58A、650Vの第3世代カーバイドMOSFETで、高電圧、高速スイッチ、低オン抵抗を備えています。このMOSFETは、高出力の工業用途に設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方…TW107Z65C
TW107Z65Cデバイスは20A、650Vの第三世代カーバイドシリコンMOSFETで、大電力の工業用途のために設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方向直流-直流変換器です。TW107Z65C(パラメーター)で…連絡先電話:86-755-83294757
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