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TW045Z120C——40A、1200V第三世代炭化ケイ素MOSFETです

FETタイプ:Nチャネルです

技術:SiCです

ドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 40A (Tc)です

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):62ミリオ@ 20A, 18Vです。

Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5V @ 6.7mAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):57 nC @ 18 Vです。

Vgs(最大値):+25V, -10Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):1969 pF @ 800 V

FET機能:-です

消費電力分散(最大値):182W (Tc)です。

動作温度:175℃です。

取り付けタイプ:貫通穴です

サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-4 l (X)です。

パッケージ/ハウジング:to-247-4です。

概説します

Toshiba 1200V第三世代カーバイドシリコンMOSFETは大電力の工業用途のために設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力の交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方向の直流-直流変換器です。これらのMOSFETはSiC技術を採用しており、電力消費量の低減と電力密度の向上に大きく貢献しています。この技術は、より高い電圧、より速いスイッチング、より低いオン抵抗を実現します。以外に低静電容量を入力、公共ゲート・電荷を入力すると~ 15 mオメガの漏極—源極導通抵抗のほかに、このデザインは信頼性を増強した。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。