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製品分類

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商品型番:MD29HTC120P6HEL

商品名称:SiCモジュール

ブランド:Starpower

年:24+

パッヶージ:P6

納期:真新しいオリジナル

在庫数量:1000

数量:
オンライン引合

連絡先:

連絡先メールボックス:

連絡先電話:

会社名:

技術パラメータ

メーカー
Starpower
モデル
MD29HTC120P6HEL
パッヶージ
P6
説明
1200V/2.83mΩ SiC MOSFETモジュール

製品の説明

MD29HTC120P6HEL

パッケージ: P6

定格電流: -

チップタイプ: SIC

定格電圧: 1200V

回路構成:シックスパック/シックスセル

特長:長端子、PINFIN基板


MD29HTC120P6HEL SiC MOSFETパワーモジュールは、極めて低いRDS(on)と非常に高いブロッキング電圧を特徴としています。 ハイブリッド車や電気自動車などのアプリケーション向けに設計されています。


MD29HTC120P6HEL 特長

 SiCパワーMOSFET

 低 RDS(導通)で高い阻止電圧

 並列化が容易で駆動が簡単

 発振を回避する低インダクタンス

 Si3N4 AMB技術による絶縁銅ピン基板


等価回路図

image.png

関連製品

モデル

ブランド

パッヶージ

数量

説明

MD29HFC120N6HT

Starpower

N6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFETモジュール

MD29HTC120P6HET

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFETモジュール

MD29HTC120P6HEF

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFETモジュール

MD29HTC120P6HE

Starpower

P6

1000

1200V/2.83mΩ SiC MOSFETモジュール

MD22HTC120P6HET

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール

MD22HTC120P6HEL

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール

MD22HTC120P6HEF

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール

MD22HTC120P6HE

Starpower

P6

1000

1200V/2.15mΩ SiC MOSFETモジュール

MD17HTC75P6HEL

Starpower

P6

1000

750V/1.70mΩ SiC MOSFETモジュール

MD17HTC75P6HE

Starpower

P6

1000

750V/1.70mΩ SiC MOSFETモジュール

よくある質問

  • 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

    答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

  • 2.会社の商品はすべて本物ですか?

    答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

  • 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

    答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

  • 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

    答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

  • 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

    答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

  • 6.会社は領収書を発行できますか?

    答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。

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Starpower

スターパワーは2005年4月に設立され、IGBTベースのパワー半導体チップとモジュールの設計、開発、生産、販売サービスを専門としており、現在、中国のパワー半導体デバイス分野のリーディングカンパニーである。 浙江省嘉興市に本社を置き、上海、重慶、浙江、ヨーロッパに…

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