STARPOWER MD29HTC120P6HEF- 1200V/2.83mΩ SiC MOSFETモジュール、極めて低いRDS(オン)と極めて高い阻止電圧。
MD29HTC120P6HEF アプリケーション
自動車用途
ハイブリッド車および電気自動車
モータドライブインバータ
MD29HTC120P6HEF
パッケージ: P6
定格電流: -
チップタイプ: SIC
定格電圧:1200V
回路構成:シックスパック/シックスセル
特徴:プレスフィット、PINFIN基板
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
スターパワーは2005年4月に設立され、IGBTベースのパワー半導体チップとモジュールの設計、開発、生産、販売サービスを専門としており、現在、中国のパワー半導体デバイス分野のリーディングカンパニーである。 浙江省嘉興市に本社を置き、上海、重慶、浙江、ヨーロッパに…
ID10FFX60U5SS
ID10FFX60U5SS - 600V、10Aコンパクト - IPMモジュール、最新のトレンチIGBT技術で優れた総合損失トレードオフを実現。モデル: ID10FFX60U5SS (コンパクト - IPMモジュール)パッケージ:U5定格電圧:600V定格電流:10Aチップタイプ:トレンチ-FS Gen1回路アーキテクチャ:…ID05FFX60U5SS
ID05FFX60U5SS - 600V、5Aコンパクト - IPMモジュール、U5パッケージモデル: ID05FFX60U5SS (コンパクト - IPMモジュール)パッケージ:U5定格電流:5Aチップタイプ:トレンチ-FS Gen1定格電圧:600V回路アーキテクチャ:シックスパック/シックスセルID05FFX60U5SS - 製品…DG75H12T2
DG75H12T2 は、超低導通損失および低スイッチング損失を提供する IGBT パワーディスク リートです。一般的なインバータやUPSなどのアプリケーション向けに設計されています。DG75H12T2の特長低VCE(sat)トレンチIGBT技術低スイッチング損失最大ジャンクション温度175正の温…DG50H12T2
DG50H12T2はIGBTパワーディスクリートで、超低導通損失と低スイッチング損失を実現します。一般的なインバータやUPSなどの用途に設計されています。DG50H12T2の特長低VCE(sat)トレンチIGBT技術低スイッチング損失最大ジャンクション温度175正の温度係数を持つVCE(sat)高速…DG40H12T2
DG40H12T2 は、超低導通損失および低スイッチング損失を提供する IGBT パワーディスク リートです。一般的なインバータやUPSなどのアプリケーション向けに設計されています。DG40H12T2の特長低VCE(sat)トレンチIGBT技術低スイッチング損失最大ジャンクション温度175正の温…ID50FFX60U3S
ID50FFX60U3S - 600V、50Aコンパクト - IPMモジュール、U3パッケージID50FFX60U3S- 製品仕様:モデル: ID50FFX60U3S (コンパクト - IPMモジュール)パッケージ: U3定格電圧:600V定格電流:50Aオン状態電圧降下 VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.70Vチップタイプ: Trench-FS Gen…連絡先電話:86-755-83294757
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