nsg65n15k—dqafrはnovosenseシステム級のpowerステージ製品を発売、内部を集積した半橋ドライブnsd2621や二粒の耐圧650 v導の弊抵抗150 mのオメガganスイッチ管、仕事電流20 aに上る。NSG65N15Kは、内部にブートストラップダイオードが組み込まれています。また、調整可能なデッドゾーン時間、低電圧保護、過温度保護機能を内蔵しており、GaNアプリケーションの安全、信頼性の高い動作を実現し、高週波、高速性を十分に発揮します。
特徴です:
- 650VのGaNスイッチパイプとハーフブリッジ・ドライバーを内蔵しています
−gan導の弊抵抗150 mオメガ
-逆回復ロスなしです
- LDOを内蔵し、駆働電圧を安定させます。
-高エッジ独立UVLO保護機能です
-内部調整可能なデッドゾーン時間です
ブートストラップダイオード内蔵です
-環境温度:-40℃~ 125℃です。
パッケージ形式:QFN (9*9mm)です。
応用です:
•トーテムポールPFC、ACFとLLCなどの半橋または全橋トポロジーです
・アダプタ高密電源
太陽光、電気駆動、新エネルギー分野です
モデル
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パッヶージ
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
蘇州ノボセンス微電子有限公司は、高性能・高信頼性のアナログ・ミックスシグナルチップ企業です。2013年の設立以来、センサー、シグナルチェーン、パワーマネジメントの3つの大きな方向性に焦点を当て、自動車、産業、情報通信、家電の分野で広く使用されている幅広い半…
NSD2621C-DQAGR
nsd2621c-dqagrは、GaN用に設計された高圧ハーフブリッジ駆動チップです。NOVOSENSEの洗練された容量分離技術を採用しており、ハイサイド駆動で-700Vから+700Vまでのコモンモード電圧に対応し、SWでは150 V/nsの電圧変化に対応しながら、低伝送遅延と低チャネル間遅延を実…NSD2621A-DQAGR
nsd2621a-dqagrは、NOVOSENSEの最新のGaN用ハーフブリッジ駆動チップです。NOVOSENSEの洗練された容量分離技術を採用しており、ハイサイド駆動で-700Vから+700Vまでのコモンモード電圧に対応し、SWでは150 V/nsの電圧変化に対応しながら、低伝送遅延と低チャネル間遅延を…NSI6601MC-DSPR
NSI6601MC-DSPRは、IGBT、パワーMOSFET、およびSiC MOSFETを駆動する多くの用途に適した単一チャネル分離ゲートドライバである。上昇期間と下降期間をそれぞれ制御するための個別の出力が提供される。それは5 A/5 Aのピークソース/シンク電流を提供し、ミラークランプを提…連絡先電話:86-755-83294757
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