商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:Diodes
年:24+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
DMWSH120H90SM4は1200V Nチャネル出力のMOSFETで、to-247-4パッケージを採用しています。このMOSFETは、オン抵抗を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を実現し、効率的な電源管理アプリケーションに適しています。
DMWSH120H90SM4の仕様です:
チャンネルモード:Enhancementです
構成:シングルです
降下時間:6.4 nsです
Id-連続ドレイン電流:40 Aです
最大動作温度は+ 175°Cです。
最小動作温度は- 55°Cです
インストールスタイル:スルーホールです
チャンネル数:1チャンネルです。
パッケージ:to-247-4です。
パッケージ:Tubeです
Pd-電力散逸:235 Wです
製品タイプ:SiC MOSFETSです
qg-ゲート電荷:51.1 nCです
Rds Onドレイン・ソース・オン抵抗:97.5 mOhmsです
立ち上がり時間:21.3 nsです
工場包装数:30です。
サブカテゴリ:Transistorsです。
技術:SiCです
トランジスタの極性はn-channelです
典型的なオフ遅延時間:17.4 nsです。
典型的なオン遅延時間:9.1 nsです。
Vdsドレイン・ソース・パンクヮンス電圧:1.2 kVです
Vgsゲートソース電圧は- 4 V + 15 Vです
Vgs th-ゲートソース阈値電圧:3.5 Vです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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