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CY15B102N-ZS60XMは、標準的なSRAMと同様に読み書きが可能な128K×16の不揮発性メモリです。 F-RAM（Ferroelectric Random Access Memory）は不揮発性メモリであり、停電後もデータが保持されます。 バッテリバックアップSRAM（BBSRAM）の信頼性の問題、機能的な欠点、システム設計の複雑さを解消しながら、121年以上データを保持します。 高速書き込みタイミングと高い書き込み耐久性により、F-RAMは他のタイプのメモリよりも優れています。

CY15B102Nは他のRAMデバイスと同様に動作し、システムの標準的なSRAMの直接的な代替として使用できます。読み出しサイクルはCEまたはアドレスの変更によってトリガでき、書き込みサイクルはCEまたはWEによってトリガできます。 F-RAMメモリは、独自の強誘電体メモリ・プロセスにより不揮発性です。 これらの特長により、CY15B102Nは、頻繁な書き込みや高速書き込みを必要とする不揮発性メモリ・アプリケーションに最適です。

このデバイスは、400ミル、44ピンTSOP-II表面実装パッケージで提供されます。 デバイスの仕様は、-55 °C～+125 °Cの軍用温度範囲で保証されています。

機能

128K × 16として構造化された2-Mbit強誘電体ランダム・アクセス・メモリ（F-RAM™）ロジック

UBおよびLBを使用して256K×8まで構成可能

高耐久性 10兆回（1013回）の読み出しと書き込み

121年間のデータ保持

NoDelay™ライト

30 nsサイクルタイムのページ・モード動作

先進の高信頼性強誘電体プロセス

SRAM互換

業界標準の128K×16 SRAMピン配置

アクセス時間60 ns、サイクル時間90 ns

高度な機能

ソフトウェア・プログラマブル・ブロック書き込み保護

バッテリバックアップSRAMモジュールより優れている

バッテリーの問題なし

モノリシック信頼性

リワーク工程なしの真の表面実装ソリューション

湿気、衝撃、振動に対する優れた耐性

低消費電力

アクティブ電流 7mA（代表値）

スタンバイ電流 120 A (代表値)

低電圧動作： VDD = 2.0 V～3.6 V

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。