商品名称:F-RAM(強誘電体RAM)
ブランド:Cypress
年:24+
パッヶージ:FBGA-24
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
CY15V108QSN-108BKXQは、高度な強誘電体プロセスを使用した高性能8MB不揮発性メモリです。 シリアル・フラッシュ・メモリとは異なり、CY15x108QSNはバス速度で書き込み動作を行います。 書き込み遅延は発生しません。 データは、各バイトがデバイスに正常に転送された直後にメモリ・アレイに書き込まれます。 次のバス・サイクルを開始するためのデータ・ポーリングは必要ありません。 さらに、CY15x108QSNは、他の不揮発性メモリと比較して高い書き込み耐久性を備えており、1014回の読み出し/書き込みサイクルをサポートすることができます。
製品属性
カテゴリー: メモリ
パッケージ: トレイ
部品ステータス: 発売中
メモリタイプ: 不揮発性
メモリ形式: FRAM
テクノロジー: FRAM (強誘電体RAM)
メモリ容量: 8Mb
メモリ構成: 1M x 8
メモリー・インターフェース: SPI - Quad I/O、QPI
クロック周波数: 108 MHz
アクセス時間: 6.7 ns
電源電圧: 1.71V ~ 1.89V
動作温度: -40°C ~ 105°C (TA)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 24-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ: 24-FBGA (6x8)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(強誘電体RAM)メモリIC 16Mb SPI - クアッドI/O、QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
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