商品名称:F-RAM(強誘電体RAM)
ブランド:Cypress
年:24+
パッヶージ:8-UFLGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
CY15B104QSN-108BFXIは、先進の強誘電体プロセスを使用した高性能4-Mbit不揮発性メモリです。 強誘電体ランダムアクセスメモリ(F-RAM)は、RAMと同様の読み出しおよび書き込み機能を持つ不揮発性メモリです。
Excelon™強誘電体RAM(F-RAM)は、低消費電力、ミッションクリティカルな不揮発性メモリを特徴とする次世代のF-RAMです。Excelonファミリーは、超低電力動作と高速インターフェース、即時の不揮発性、および無制限の読み取り/書き込みサイクル耐久性を兼ね備えています。 これによりエクセロンは、ポータブル医療、ウェアラブル、IoTセンサー、産業用および車載用アプリケーションに理想的なデータ・ロギング・メモリーとなります。
仕様
カテゴリー: メモリ
パッケージ: トレイ
部品ステータス: 発売中
メモリータイプ: 不揮発性
メモリフォーマット: FRAM
テクノロジー: FRAM (強誘電体RAM)
メモリ容量: 4Mb
メモリ構成: 512K x 8
メモリー・インターフェース: SPI - クアッドI/O
クロック周波数: 108 MHz
アクセス時間: 6.7 ns
電源電圧: 1.8V~3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 8-UFLGA
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-UFLGA (3.28x3.23)
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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