商品名称:F-RAM(強誘電体RAM)
ブランド:Cypress
年:24+
パッヶージ:8-SOIC
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
CY15B102QM-50SWXIは、先進の強誘電体プロセスを使用した低消費電力の2Mビット不揮発性メモリです。 強誘電体ランダム・アクセス・メモリ(F-RAM)は、RAMと同様の読み出し/書き込み機能を備えた不揮発性メモリです。 シリアルフラッシュ、EEPROM、その他の不揮発性メモリに関連する複雑さ、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性の問題を排除しながら、151年間の信頼性の高いデータ保持を提供します。
製品属性
カテゴリー: メモリ
パッケージ: Tube
部品ステータス: 発売中
メモリタイプ: 不揮発性
メモリ形式: FRAM
技術: FRAM(強誘電体RAM)
メモリー容量: 2Mb
メモリ構成: 256K x 8
メモリー・インターフェース: SPI
クロック周波数: 50 MHz
アクセス時間:8 ns
電源電圧: 1.8V~3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/シェル:8ピンSOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
サプライヤーデバイスパッケージ: 8-SOIC
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(強誘電体RAM)メモリIC 16Mb SPI - クアッドI/O、QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
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