商品名称:F-RAMメモリ
ブランド:Cypress
年:24+
パッヶージ:UFLGA-8
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
CY15V108QN-20BFXIは、先進の強誘電体プロセスを採用した低消費電力の8MB不揮発性メモリです。強誘電体ランダム・アクセス・メモリ(F-RAM)は不揮発性で、RAMと同様に読み書きを行います。
CY15V108QN-20BFXIの特長
8MBの強誘電体ランダム・アクセス・メモリ(F-RAM)を1024K×8として論理構成
高速シリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)
最大周波数40MHz
SPIモード0(0、0)およびモード3(1、1)をサポート
洗練された書き込み保護スキーム
書き込み禁止(WRDI)命令によるソフトウェア保護
専用256バイト特殊セクターF-RAM
専用特別セクタの書き込みと読み出し
保存された内容は、標準的なリフローはんだ付けサイクルに3回まで耐えることができます。
40 MHzで2.6 mA (typ) のアクティブ電流
3.5μA(typ)スタンバイ電流
0.90µA(typ)ディープ・パワーダウン・モード電流
0.1µA(typ)ハイバネート・モード電流
-40°C~85°C 工業用温度
有害物質規制(RoHS)対応
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(強誘電体RAM)メモリIC 16Mb SPI - クアッドI/O、QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(強誘電体RAM)メモリIC 16Mb SPI - クアッドI/O、QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
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