cy15b128q-sxetは128 Kbの不揮発性メモリで、高度な強誘電体プロセスを採用しています。F−RAMは不揮発性なので、読み出しと書き込みの働作はRAMと似ています。121年間の信頼性の高いデータリザーブを提供しながら、シリアルフラッシュ、EEPROM、その他の不揮発性メモリによる複雑性、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性の問題を解消します。
CY15B128Qは、シリアルフラッシュやEEPROMとは異なり、バススピードで書き込みを実行します。書き込み遅延は発生しません。各バイトがデバイスへの転送に成功すると、データはすぐにメモリアレイに書き込まれます。データポーリングなしで次のバスサイクルを開始できます。また、他の不揮発性メモリに比べて優れた書き込み耐久性を提供しています。CY15B128QはEEPROMの1000万倍の1013回の読み出し/書き込みサイクルをサポートしています。
cy15b128q-sxetの仕様です。
記憶容量:128ギガビットです
クロック周波数は33 MHzです
インタフェースの種類はSPIです
動作温度は-40℃125℃です
電源電圧:2.7 V 3.6 Vです
組織:16Kb x 8です
パッケージ:soic-8です
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Cypress
FBGA-24
5000
FRAM(強誘電体RAM)メモリIC 16Mb SPI - クアッドI/O、QPI 108 MHz 6.7 ns 24-FBGA(6x8)
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