商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:Qorvo
年:24+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
UJ4SC075009K4Sは750 V、9 mohm Gen 4 SiC FETで、to-247-4 lパッケージです。このSiC FETは、超低ゲート電荷と優れた逆戻り特性を備えており、スイッチング感性負荷や標準ゲート駆動を必要とする用途に最適です。
スペックです
技術:SiCです
取り付けスタイル:貫通孔です
パッケージ:to-247-4です。
トランジスタの極性はn-channelです
チャンネル数:1チャンネルです。
Vds-ドレイン・ソース・パンクチャ電圧:750 Vです
Id-連続ドレイン電流:106 Aです
Rds Onドレイン・ソース・オン抵抗:9 mOhmsです
Vgsゲートソース電圧は- 20 V + 20 Vです
Vgs th-ゲートソース阈値電圧:5.5 Vです
Qgゲート電荷:75 nCです
最小動作温度は- 55°Cです
最大動作温度は+ 175°Cです。
Pd-パワー散逸:375 Wです
チャンネルモード:Enhancementです
シリーズ:UJ4SCです
構成:シングルです
降下時間は13 nsです
製品タイプ:MOSFETです。
立ち上がり時間:34 nsです
典型的なオフ遅延時間:63 nsです。
典型的なオン遅延時間:22 nsです。
モデル
ブランド
パッヶージ
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ノースカロライナ州に本社を置くQorvoは、30年以上の設計経験を結集し、世界中で8,000人近くの従業員を雇用しています。 カーボは中国に2つの生産拠点を持ち、山東省の北京と徳州にあります。 Qorvo(北京)は2001年6月28日に北京の亦荘経済技術開発区に設立され、2,400人…
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