商品名称:F-RAM(強誘電体RAM)
ブランド:Cypress
年:24+
パッヶージ:24-FBGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
CY15B116QN-40BKXAは、先進の強誘電体プロセスを使用した低消費電力の16Mビット不揮発性メモリです。 強誘電体ランダムアクセスメモリ(F-RAM)は不揮発性で、RAMと同様の読み取りおよび書き込み機能を備えています。 シリアル・フラッシュ、EEPROM、その他の不揮発性メモリに関連する複雑さ、オーバーヘッド、システムレベルの信頼性の問題を排除しながら、151年間の信頼できるデータ保持を提供します。 シリアル・フラッシュやEEPROMとは異なり、CY15X116QNはバス速度で書き込みを行います。 書き込み遅延はありません。 データは、各バイトがデバイスに正常に転送された直後にメモリ・アレイに書き込まれます。 次のバス・サイクルを開始するためのデータ・ポーリングは必要ありません。 さらに、CY15X116QNは、他の不揮発性メモリと比較して高い書き込み耐久性を備えており、1014回の読み出し/書き込みサイクルをサポートすることができます。
製品属性
カテゴリー: メモリ
シリーズ: Excelon™-LP,F-RAM™
メモリタイプ:不揮発性
メモリー・フォーマット:FRAM
テクノロジー: FRAM(強誘電体RAM)
メモリー容量: 16Mb
メモリー構成:2M x 8
メモリー・インターフェース: SPI
クロック周波数: 40 MHz
アクセス時間: 9 ns
電源電圧: 1.8V~3.6V
動作温度: -40°C ~ 85°C (TA)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/ケース: 24-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ: 24-FBGA (6x8)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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