NTCR013N120M3S 1200V M3Sプレーナ型SiC MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション用に最適化されています。プレーナ技術は、負のゲート電圧駆動で確実に動作し、ゲート上のスパイクをオフにします。このファミリーは、18Vゲート駆動で最適な性能を発揮しますが、15Vゲート駆動でも良好に動作します。
特長
優れたFOM [= Rdson * Eoss］
超低ゲートチャージ (QG(tot) = 254 nC)
低容量で高速スイッチング (Coss = 262 pF)
15V～18Vゲート駆動
新しいM3S技術：13 mohm RDS(ON)、低EonおよびEoff損失
100%アバランシェ・テスト済み
ハロゲン化物フリーおよびRoHS対応
ダイ（箔切削）
アプリケーション
ソーラー・インバータ
電気自動車充電ステーション
無停電電源装置（UPS）
エネルギー貯蔵システム
スイッチモード電源 (SMPS)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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