SUPERFET III MOSFETは、卓越した低オン抵抗および低ゲート・チャージ性能を実現するチャージ・バランシング技術を特長とする、オン・セミコンダクターの高電圧スーパージャンクション(SJ)MOSFETの新しいファミリです。 この先進技術は、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、非常に高いdv/dtレートに耐えます。 その結果、SUPERFET III FAST MOSFETシリーズは、さまざまな電源システムの最小化とシステム効率の向上に貢献します。
NTD360N65S3Hデバイス仕様
メーカー:オンセミ
シリーズ:SuperFET® III
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化膜)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):650 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 10A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 10V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 360 mOhm @ 5A、10V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4V @ 700µA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時: 17.5 nC @ 10 V
Vgs(最大):±30V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大): 916 pF @ 400 V
許容損失(最大): 83W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: TO-252 (DPAK)
パッケージ/ケース:TO-252-3、DPAK(2リード+ラグ)、SC-63
特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 標準RDS(on) = 296 m
- 超低ゲートチャージ (Typ. Qg = 17.5 nC)
- 低実効出力容量 (Typ. Coss(eff.) = 180 pF)
- 100%アバランシェ・テスト済み
- これらのデバイスは鉛フリーおよびRoHS対応です。
用途
- コンピューティング/モニター電源
- テレコム/サーバー用電源
- 産業用電源
- 照明/チャージャー/アダプター
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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AR0544CSSM11SMKA1-CP2
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