商品名称:窒化ガリウムトランジスタ
ブランド:ROHM
年:24+
パッヶージ:VQFN-46
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
BM3G015MUV-LBE2 Nano Cap™ 650V GaN HEMT パワーステージ IC は、高電力密度と高効率を必要とする幅広い電子システムに最適です。 650V耐圧のGaN HEMTとSiドライバをローム独自のパッケージに集積することで、PCB配線やリードボンディングによる寄生インダクタンスを従来のディスクリートソリューションに比べて大幅に低減し、最大150V/nsのスイッチング速度を実現しました。 さらに、ゲート駆動強度を調整することが可能で、EMIの低減に非常に役立ちます。本製品はまた、コストとPCBサイズを最適化するために、さまざまな保護機能やその他の追加機能を内蔵しています。 本ICは、既存の主要コントローラーに汎用的に使用できるように設計されているため、SJ MOSFETなどの従来のディスクリート・パワースイッチを置き換えることも可能です。
特長
Nano Cap™集積出力選択可能5V LDO
産業用アプリケーションの長期サポート
広いVDDピン電圧動作範囲
広いINピン電圧動作範囲
低いVDD静止電流と動作電流
低伝搬遅延
高いdv/dtイミュニティ
調整可能なゲート駆動強度
パワーグッド信号出力
VDD UVLO保護
サーマルシャットダウン保護
アプリケーション
◼ 産業機器用電源、高電力密度、高効率要件、またはトーテムポールPFC、LLC電源、アダプタなどのブリッジ・トポロジー。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ローム株式会社は、世界有数の半導体メーカーであり、日本の京都に本社を置き、半導体、集積回路、その他の電子部品の設計と製造を行っています。 これらのコンポーネントは、急速に変化し、成長しているワイヤレス、コンピューター、自動車、家電市場での地位を確立して…
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TSX2HRC11の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フリ…RGA80TSX2EHRC11
RGA80TSX2EHRC11は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TSX2EHRC11の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フ…RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TRX2HRC15の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フリ…RGA80TRX2EHRC15
RGA80TRX2EHRC15は、低スイッチング損失、低導通損失を特長とするIGBTトランジスタです。車載用電動コンプレッサやHVヒータ、産業用インバータに最適です。RGA80TRX2EHRC15の特長AEC-Q101準拠短絡耐量10μs低コレクタ-エミッタ飽和電圧超高速ソフトリカバリーFRD内蔵鉛フ…BM3G007MUV-LBE2
bm3g007muv-lbe2は、Nano Cap™650V GaN HEMTパワーステージICで、高出力密度と高効率が求められるさまざまな電子システムに適しています。650Vの強化されたGaN HEMTとシリコンドライバーが組み込まれています。特性です:Nano CAP™は5VのLDOを選択できます産業応用を長期…SCT3160KWATL
SCT3160KWATLは1200V、17A SiC(炭化ケイ素)溝MOSFETで、小型のto-263 -7パッケージを採用しています。耐高圧、低オン抵抗、高速スイッチング速度が特徴です。SCT3160KWATLの規格です:FETタイプ:Nチャネルです技術:SiCですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-…連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: