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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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操作

BM3G007MUV-LBE2

製品の説明:ナノcap、ecogan、650 vオメガ2 mhz gan hemt出力70 m級のic

パッヶージ:VQFN-46
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CGH40006S

製品の説明:トランジスターGaN HEMT dc-6.0 GHz, 6 Wです

パッヶージ:QFN-6
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CGHV27060MP

製品の説明:60 Wです;DCから2700MHzです50 Vです。LTEやパルスレーダー向けのGaN HEMTです

パッヶージ:QSOP-20
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G015MUV-LBE2

製品の説明:ナノキャップ™、EcoGaN™、650V 150mΩ 2MHz、GaN HEMTパワーステージIC

パッヶージ:VQFN-46
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGO60R070D1AUMA1

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-DSO-20-85

パッヶージ:PG-DSO-20
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGOT60R070D1AUMA1

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-DSO-20-87

パッヶージ:PG-DSO-20
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGT60R070D1ATMA4

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 31A(Tc) 125W(Tc) PG-HSOF-8-3

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGT60R190D1SATMA1

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 12.5A(Tc) 55、5W(Tc) PG-HSOF-8-3

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLD60R070D1AUMA3

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 15A(Tc) 114W(Tc) PG-LSON-8-1

パッヶージ:PG-LSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLD60R190D1AUMA1

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1

パッヶージ:PG-LSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR60R190D1XUMA1

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 12.8A(Tc) 55、5W(Tc) PG-TSON-8-6

パッヶージ:PG-TSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR60R340D1XUMA1

製品の説明:表面実装 Nチャンネル 600 V 8.2A(Tc) 41.6W(Tc) PG-TSON-8-7

パッヶージ:PG-TSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F5050A1L

製品の説明:高速高精度絶縁ゲートドライバー付き500mΩ/600V GaNハーフブリッジ

パッヶージ:PG-TIQFN-28
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLD60R190D1S

製品の説明:600V CoolGaN™ エンハンスメントモード・パワートランジスタ

パッヶージ:PG-LSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGT60R042D1

製品の説明:600V CoolGaN™ エンハンスメントモード・パワートランジスタ

パッヶージ:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGO60R042D1

製品の説明:600V CoolGaN™ エンハンスメントモード・パワートランジスタ

パッヶージ:PG-DSO-20
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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