商品名称:炭化ケイ素MOSFET
ブランド:Qorvo
年:24+
パッヶージ:D2PAK-7L
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:9000 件
UJ4SC075011B7Sは、D2PAK-7Lパッケージの炭化ケイ素電界効果トランジスタ(SiC FET)です。 ノーマル・オープンのSiC JFETとSi MOSFETを同包してノーマル・クローズのSiC FETデバイスを製造するユニークな「カスケード」回路構成を採用しています。 このデバイスの標準的なゲート駆動特性は、Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET、またはSiスーパージャンクション・デバイスの真の「置き換え」を提供します。 D2 PAK-7Lパッケージで提供されるこのデバイスは、超低ゲートチャージと優れた逆回復特性を特長とし、誘導負荷スイッチングや標準的なゲート駆動を必要とするあらゆるアプリケーションに最適です。
特性
VDS定格:750V
低RDS(on):9mΩ~60mΩ
主な品質要因 次世代の高性能電源設計を可能にする
クラス最高のRDS(on)x面積
所定のRDS(on)におけるQrrおよびEon/Eoff損失の改善
Coss(er)/EossおよびCoss(tr)の低減
優れたボディ・ダイオード性能(Vf<2V)
低ゲート電荷
175℃の最高動作温度
優れた逆回復(Qrr)
スレッショルド電圧:4.8VG(th)
帯電防止、HBMクラス2
6.7mm高沿面距離、7.3mmギャップ距離SMT
先進の銀焼結ダイ・アタッチによる優れた熱性能
D2PAK-7Lパッケージ
用途
電気自動車充電
太陽光発電インバータ
スイッチング電源
力率改善モジュール
モータードライバー
誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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