商品名称:STGB19NC60HDT4
ブランド:ST
年:24+
パッヶージ:TO-263-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
STGB19NC60HDT4 高速 650 V、8 A ハードスイッチング IGBT TRENCHSTOP™ 5 は、TO-220 パッケージに RAPID 1 高速ソフト逆並列ダイオードとコ・パッケージされており、「クラス最高」の IGBT と定義されています。
製品特性
電圧 - コレクタ絶縁破壊(最大): 600 В
電流-コレクタ(Ic)(最大):40 A
電流-コレクタパルス(Icm):60 A
異なるVgeでのVce(オン)、Ic(最大): 2.5 V @ 15 V、12 A 2.5 V @ 15 V、12 A
最大電力: 130 W
スイッチングエネルギー: 85 µJ(オン)、189 µJ(オフ)
入力タイプ: 標準
ゲート電荷量 53 nK
25℃でのTd値(オン/オフ):25ns/97ns
テスト条件 390 V、12 A、10 Ω、15 V
逆回復時間(trr):31ns
動作温度: -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
パッケージ/シェル:TO-263-3、D2PAK(2ピン+パッド)、TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ: D2PAK
アプリケーション
● 無停電電源装置(UPS)
● 産業用加熱およびはんだ付け
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレンチ・ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術を利用しています。連絡先電話:86-755-83294757
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