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NVBG1000N170M1 1700V M1 プラナーSiC MOSFETは、高速スイッチング・アプリケーション向けに最適化されています。 このプレーナ技術は、負のゲート電圧を使用してゲートのスパイクを確実に駆動およびシャットダウンします。 このシリーズは、20Vゲート駆動で最適な性能を発揮しますが、18Vゲート駆動でも十分に機能します。

製品特性

FETタイプ：Nチャンネル  

技術：SiC（炭化ケイ素接合トランジスタ）  

ドレイン・ソース間電圧（Vdss）：1700 V  

25℃における連続ドレイン電流（Id）：4.3A（Tc）  

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）：20V  

異なるId、Vgsにおけるオン抵抗（最大）： 1.43Ω@2A、20V  

異なるIdでのVgs(th)（最大）：4.3V @ 640µA  

ゲート電荷（Qg）＠Vgs（最大）：14nC＠20V  

Vgs（最大）：+25V、-15V  

入力キャパシタンス（Ciss）（異なるVds（最大）時）： 150 pF @ 1000 V  

許容損失（最大）： 51W（Tc）  

動作温度： -55°C ~ 175°C (TJ)  

グレード：車載グレード  

認定： AEC-Q101  

実装タイプ： 表面実装  

サプライヤーデバイスパッケージ： D2PAK-7  

パッケージ/ケース： TO-263-8、D2PAK（7リード+タブ）、TO-263CA  

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

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  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

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  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

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  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

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  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。