商品名称:SKY58105-31
データマニュアル:SKY58105-31.pdf
ブランド:Skyworks
年:23+
パッヶージ:LGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
SKY58105-31ミッド/ハイバンド(FEM)は、3G/4G/5Gモバイル機器をサポートし、3G/4G/5Gモードで効率的に動作します。 このモジュールは、ミッドバンドとハイバンドで動作する独立した3G/4G/5G PAブロック、MIPI RFFEインターフェースを備えたシリコン・コントローラー、RFバンド・スイッチ、MB/HBアンテナ・スイッチ、双方向カプラ、バンド1、3、34、39、40、41用の統合フィルターを備えています。 RF I/Oポートは内部で50Ωに整合され、外付け部品を最小限に抑えています。 極めて低いリーク電流により、デバイスのスタンバイ時間を最大化します。 ICチップ/受動部品は多層ラミネート基板に実装されている。 このモジュールは、より広い帯域幅(100 MHz)とCAがより高いデータ・レートを可能にする5G NRおよびLTEアドバンスド要件に適合している。 モジュール内部のフィルタリング、RFマッチング、TRxスイッチの組み合わせにより、ダウンリンク(DL)CA帯域の組み合わせの性能が最適化される。 このモジュールには、優れたRx感度とTx効率を実現するために最適化された、アンテナとRFICトランシーバー間のコンポーネントが含まれています。
特長
MIPI® RFFE 3.0コントロールIF 1.2V/1.8V公称電圧
エンベロープ・トラッキング・アプリケーションをサポート
バンド1および3用の直交フィルタを内蔵
バンド34/39用内蔵フィルター
バンド40および41F用内蔵フィルター
外部フィルター用補助MB Tx出力×1、外部フィルター用補助HB Tx出力×1
他のバンド用の補助TRxポート2つ
4つのロー・ノイズ・アンプ(LNA)出力ポート
- ANT出力ポートは柔軟なANTコンフィギュレーションとスイッチングに対応
ローバンド・モジュールからの補助2G Tx出力
カスケードをサポートする統合双方向RFカプラ
すべてのRF I/Oポートは50 Ùインピーダンスに整合
小型、低背/低コストパッケージ
8.6 mm x 6.5 mm x 0.76 mm
SkyShield™シールド・モジュール
62パッドLGA(Large Gate Array)構成
アプリケーション
- マルチバンド3G/4G/5Gモバイル機器
- ハンドセット、データカード、M2M
- LTEアドバンスト・キャリア・アグリゲーション(CA)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
マサチューセッツ州ウォーバーンに本社を置くSkyworksSolutions、Inc.は、信頼性の高いアナログおよびミックスドシグナル半導体の革新者です。 Skyworksは、そのコアテクノロジーを活用して、自動車、ブロードバンド、セルラーインフラストラクチャ、エネルギー管理、産業…
SI8630EC-B-IS1R
SI8630EC-B-IS1Rは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性能を実現…SI8635BC-B-IS1R
SI8635BC-B-IS1Rは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、および外部BOMの面で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性…SI8631EC-B-IS1R
SI8631EC-B-IS1Rは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性能を実現…SI8630BC-B-IS1R
SI8630BC-B-IS1Rは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、および外部BOMの面で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性…SI8426BB-D-ISR
SI8426BB-D-ISRは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは非常に均一で、広い温度範囲とデバイス寿命を通じて安定した性能を発揮します。 すべてのデバイス…Si8424BB-D-ISR
Si8424BB-D-ISRは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術よりも大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは非常に均一で、広い温度範囲とデバイス寿命を通じて安定した性能を発揮します。 すべてのデバイス…連絡先電話:86-755-83294757
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