商品名称:SKY66430-11
データマニュアル:SKY66430-11.pdf
ブランド:Skyworks
年:23+
パッヶージ:BGA
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
SKY66430-11は、5G大規模IoT(LTE-M/NB-IoT)プラットフォームをサポートするマルチバンド・マルチチップ・システム・イン・パッケージ(SiP)です。このSiPは、698~2200MHzの周波数帯で動作するLTEマルチバンド無線機のRFフロントエンド、トランシーバー、パワーマネージメント、メモリー、ベースバンドモデム全体を集積しています。NORフラッシュ、水晶振動子、およびパッケージ外付けの受動素子数個で、SiPの実装が完了します。
特徴
シングルパッケージの完全なBB to RFソリューション:
- 統合ベースバンド、トランシーバー、RFフロントエンド、RAMメモリー、パワーマネージメント
- 8.8 x 10.8 x 0.95 mm BGAパッケージ、0.5 mmピッチ
- デバイス重量:229mg
VoLTEサポートを含む3GPP Rel-14に準拠、3GPP Rel-15にアップグレード可能
LTE-M/NB-IoTの半二重動作(HD-FDD)に最適化
主要MNO、FCC / IC / TELEC / ACMA、GCF / PTCRBで事前認証済み
グローバルな周波数帯域をサポート
- ローバンド B5、B8、B12、B13、B14、B17、B18、B19、B20、B26、B28、B85
- ミッドバンド B1、B2、B3、B4、B25、B66
クラス最高のディープ・スリープ消費電力1uA
屋内/屋外測位用の低消費電力クラウドベース・ソリューション、Positioning over LTE (PoLTE)
10年間の運用を可能にする超低リーク内部PMU
低出力電力動作時に効率を最大化するスマートなPAバイアス・スキーム
スループット
- LTE-M (1.4 MHz帯域幅) 最大300 kbps DL、375 kbps UL
- NB-IoT(200kHz帯域幅):
o NB1:27.2 kbps DL、62.5 kbps UL
o NB2:120 kbps DL、170 kbps UL
3.1 V~5.5 V単一電源動作
動作温度範囲: -40 °C ~ +85 °C
Skyworksコンフォーマル シールド、銀(Ag)フリー
鉛(Pb)フリーおよびRoHS準拠
MSL3 @ 260 °C (JEDEC J-STD-020準拠)
アプリケーション
- ウェアラブル
- 個人および資産トラッカー
- セキュリティ/アラーム・システム
- 産業用モニタリング
- スマートメーター
- 低消費電力IoTデバイス
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
マサチューセッツ州ウォーバーンに本社を置くSkyworksSolutions、Inc.は、信頼性の高いアナログおよびミックスドシグナル半導体の革新者です。 Skyworksは、そのコアテクノロジーを活用して、自動車、ブロードバンド、セルラーインフラストラクチャ、エネルギー管理、産業…
SI8630EC-B-IS1R
SI8630EC-B-IS1Rは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性能を実現…SI8635BC-B-IS1R
SI8635BC-B-IS1Rは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、および外部BOMの面で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性…SI8631EC-B-IS1R
SI8631EC-B-IS1Rは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性能を実現…SI8630BC-B-IS1R
SI8630BC-B-IS1Rは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、および外部BOMの面で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性…SI8426BB-D-ISR
SI8426BB-D-ISRは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは非常に均一で、広い温度範囲とデバイス寿命を通じて安定した性能を発揮します。 すべてのデバイス…Si8424BB-D-ISR
Si8424BB-D-ISRは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術よりも大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは非常に均一で、広い温度範囲とデバイス寿命を通じて安定した性能を発揮します。 すべてのデバイス…連絡先電話:86-755-83294757
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