商品名称:SKY58100-11
データマニュアル:SKY58100-11.pdf
ブランド:Skyworks
年:23+
パッヶージ:QFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
SKY58100-11 Sky5®マルチモード・マルチバンド送受信フロントエンドモジュール(FEM)は、2G/3G/4G/5Gモバイル機器をサポートし、3G/4G/5Gモードで効率的に動作します。SKY58100-11は、当社のSky5®製品ポートフォリオの一部です。FEMは、ローバンド3G/4G/5G PAブロック、ローバンドおよびハイバンド2G PAブロック、MIPI RFFEインターフェースを含むシリコンコントローラー、RFバンドスイッチ、アンテナスイッチ、双方向カプラ、バンド8、26、28A用集積フィルター、低雑音増幅器(LNA)で構成されています。極めて低いリーク電流により、デバイスのスタンバイ時間を最大化します。
ICダイと受動部品は多層ラミネート基板に実装されています。このアセンブリは、7.6 mm x 6.0 mm x 0.75 mm、56パッドのMCM、SMTプラスチックパッケージに封入されており、製造可能性が高く、低コストのソリューションを実現します。
SKY58100-11 FEMは、キャリアアグリゲーションを利用してより高いデータレートを実現するLTE Advanced向けに最適化されています。FEMに内蔵されたフィルタリング、RFマッチング、TRxスイッチングを組み合わせることで、コンパクトで低コストのソリューションでありながら、一般的なダウンリンク(DL)CAバンドの組み合わせに対して性能を最適化します。FEMはアンテナとRFICトランシーバーの間に必要なコンポーネントを含み、優れたRx感度とTx効率を提供するように最適化されています。
特長
1.8V/1.2V供給のMIPI® RFFE 3.0制御インターフェース
バンド8、26、28A用の統合スイッチド・デュプレクサ・フィルタ
低雑音アンプ(LNA)内蔵
外部フィルター用の3つの補助3G/4G/5G Tx出力
追加バンドをサポートする3つの補助3G/4G/5G TRxポート
4G PA用統合Vccスイッチ
高調波関連のLB-MBダウンリンクCA用Txフィルタリング
ローバンドおよびハイバンド2G PA内蔵
ハイバンド2GはコンパニオンMB/HBモジュールで動作
カスケード対応双方向RFカプラ内蔵
小型、薄型パッケージ
7.6 mm x 6.0 mm x 0.75 mm
SkyShield™シールド・モジュール
56パッド構成
アプリケーション
マルチバンド2G 3G/4G/5G モバイル機器
ハンドセット、データカード、M2M
LTEアドバンストキャリアアグリゲーション(CA)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
マサチューセッツ州ウォーバーンに本社を置くSkyworksSolutions、Inc.は、信頼性の高いアナログおよびミックスドシグナル半導体の革新者です。 Skyworksは、そのコアテクノロジーを活用して、自動車、ブロードバンド、セルラーインフラストラクチャ、エネルギー管理、産業…
SI8630EC-B-IS1R
SI8630EC-B-IS1Rは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性能を実現…SI8635BC-B-IS1R
SI8635BC-B-IS1Rは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、および外部BOMの面で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性…SI8631EC-B-IS1R
SI8631EC-B-IS1Rは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性能を実現…SI8630BC-B-IS1R
SI8630BC-B-IS1Rは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、および外部BOMの面で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは、広い温度範囲とデバイスの寿命を通じて安定しており、設計を容易にし、非常に均一な性…SI8426BB-D-ISR
SI8426BB-D-ISRは、データレート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術に対して大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは非常に均一で、広い温度範囲とデバイス寿命を通じて安定した性能を発揮します。 すべてのデバイス…Si8424BB-D-ISR
Si8424BB-D-ISRは、データ・レート、伝搬遅延、消費電力、サイズ、信頼性、外部BOMの点で、従来の絶縁技術よりも大きな利点を提供するCMOSデバイスです。 動作パラメータは非常に均一で、広い温度範囲とデバイス寿命を通じて安定した性能を発揮します。 すべてのデバイス…連絡先電話:86-755-83294757
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