商品名称:UCC21738QDWRQ1
データマニュアル:UCC21738QDWRQ1.pdf
ブランド:TI
年:23+
パッヶージ:16-SOIC
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
UCC21738QDWRQ1は、SiC MOSFET用に設計されたガルバニック絶縁シングルチャンネル・ゲート・ドライバです。 最大2121V DCで動作するように設計されたSiC MOSFETおよびIGBT用に設計されたガルバニック絶縁シングルチャンネル・ゲート・ドライバは、高度な保護、クラス最高のダイナミック性能、および堅牢性を特長としています。 このデバイスは、SiO2容量性絶縁による最大±入出力絶縁、最大1.5kVRMS動作電圧、SiO2容量性絶縁による12.8kVPKサージ耐性の入出力絶縁を特長としています。
製品特性
技術:容量性カップリング
チャネル数: 1 1
電圧 - 絶縁 5700Vrms
コモンモード過渡イミュニティ(最小): 150V/ns 150V/ns
伝搬遅延 tpLH / tpHL (最大): 130ns, 130ns 130ns, 130ns
パルス幅歪(最大): 30ns 30ns
立ち上がり/立ち下がり時間(標準)28ns、24ns(最大)
電流 - ハイ、ロー出力: 10A、10A
電流 - ピーク出力10A
電圧 - 出力電源 13V~33V
定格 オートモーティブグレード
認定: AEC-Q100 AEC-Q100
動作温度: -40°C ~ 125°C
実装タイプ 表面実装
パッケージ/シェル:16ピンSOIC(0.295インチ、7.50mm幅)
サプライヤーデバイスパッケージ: 16-SOIC
認証機関: UL、VDE UL、VDE
用途
● 電気自動車用トラクション・インバータ
● 車載充電器および充電ポスト
● HEV/EV用DC-DCコンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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