STGAP1BSは、高度な保護、構成、診断機能を備えたNチャネルMOSFETおよびIGBT用のガルバニック絶縁シングルゲートドライバです。STGAP1BSアーキテクチャは、真のガルバニック絶縁によってチャネルを制御回路および低電圧インターフェース回路から絶縁します。 ゲート・ドライバは5Aの能力を持ち、ハイブリッド車や電気自動車のモータ駆動、産業用駆動装置などの高出力インバータ・アプリケーションにも適しています。 出力ドライバ・セクションはレール・ツー・レール出力を提供し、負のゲート・ドライバ電源の使用を可能にします。
機能的特徴
● AEC-Q100認定
● 最大1500 Vの高電圧レール
● ドライバ電流能力:25 °Cで5 Aのシンク/ソース電流
● dV/dt 過渡イミュニティ:全温度範囲で±50 V/ns
● 入出力総合伝搬遅延:100 ns
● シンク電流とソース電流を分離し、ゲート駆動を容易に設定可能
● ネガティブゲートドライブ機能
● アクティブ・ミラークランプ
● 脱飽和検出
● SENSE入力
● VCEアクティブ・クランプ
アプリケーション
● 600/1200Vインバータ
● EV/HEVインバータ
● 電気自動車充電ステーション
● 産業用ドライブ
● UPS装置
● DC/DCコンバーター
● ソーラーインバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
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このNチャネルパワーMOSFETは、強化されたトレンチゲート構造を持つSTripFET™ F7技術を利用しているため、オンステート抵抗が非常に低く、また内部容量とゲート電荷を低減して、より高速で効率的なスイッチングを実現します。連絡先電話:86-755-83294757
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