商品名称:SH63N65DM6AG
データマニュアル:SH63N65DM6AG.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:9-PowerSMD
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:2000 件
SH63N65DM6AGデバイスは、ハーフブリッジトポロジーで2つのMOSFETを組み合わせています。ACEPACK SMITは、組み立てが容易な表面実装パッケージの非常に小型で堅牢なパワーモジュールです。DBC基板により、ACEPACK SMITパッケージは、絶縁された上面サーマルパッドと相まって低熱抵抗を提供します。パッケージの高い設計柔軟性により、内部パワースイッチのさまざまな組み合わせによる相脚、ブースト、シングルスイッチなど、複数の構成が可能です。
特長
AQG 324認定
ハーフブリッジ電源モジュール
650Vのブロッキング電圧
高速回復ボディ・ダイオード
非常に低いスイッチングエネルギー
低パッケージ・インダクタンス
ダイレクトボンド銅(DBC)基板上のダイス
低熱抵抗
3.4kVrms/minの絶縁定格
用途
スイッチング・アプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
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