商品名称:UCC21717QDWRQ1
データマニュアル:UCC21717QDWRQ1.pdf
ブランド:TI
年:23+
パッヶージ:16-SOIC
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
UCC21717QDWRQ1は、最大1700VのSiC MOSFETおよびIGBTを駆動するように設計された、ガルバニック絶縁シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。高度な保護機能を内蔵し、クラス最高のダイナミック性能と堅牢性を備えています。UCC21717-Q1は、最大±10Aのピーク・ソース/シンク電流を持ちます。
製品の特徴
5.7kVRMSシングル・チャネル絶縁ゲート・ドライバ
最大2121VpkのSiC MOSFETおよびIGBT
最大出力ドライブ電圧33V (VDD-VEE)
±10Aの駆動強度とスプリット出力
最小CMTI 150V/ns
応答時間270nsの高速過電流保護
4A 内部アクティブ・ミラークランプ
障害条件下での400mAソフト・ターン・オフ
動作接合部温度 -40°C~150°C
用途
EV用トラクションインバータ
車載充電器および充電杭
HEV/EV用DC/DCコンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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