商品名称:M1F45M12W2-1LA
データマニュアル:M1F45M12W2-1LA.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:Module
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT-32パワーモジュールは、ハイブリッド車や電気自動車のOBCのDC/DCコンバータ段用に調整された、NTC内蔵の4バンクトポロジを特長としています。 このパワーモジュールは、STマイクロエレクトロニクスの第3世代炭化ケイ素パワーMOSFETを4個使用しており、実績のあるチップ技術により、ACEPACK DMT-32は、エネルギー損失と高スイッチング周波数動作モードとの最適な妥協を保証します。 このモジュールを使用すれば、極めて高い電力密度と効率が要求される複雑なトポロジーを作成することができます。 窒化アルミニウム絶縁基板は、最適な熱性能を実現します。 さらに、特殊な設計により、モールディングのリセスが高い沿面距離を確保します。
すべての機能
AQG 324準拠
1200 V ブロッキング電圧
標準RDS(on)47.5 mΩ
最大動作接合部温度 TJ = 175 °C
DBC Cu-AlN-Cu基板をベースに熱性能を向上
絶縁電圧 3 kV
NTC温度センサー内蔵
用途
- オンボード・チャージャー(OBC)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 337A(Tc)、317A(Tc) 1.492kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 472A(Tc)、442A(Tc) 1.846kW(Tc)、1.161kW(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V(1.7kV)、1200V(1.2kV) 124A(Tc)、89A(Tc) 602W(Tc)、395W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 317A(Tc)、227A(Tc) 1.253kW(Tc)、613W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV)、700V 89A(Tc)、124A(Tc) 395W(Tc)、365W(Tc) シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A(Tc)、110A(Tc) 141W(Tc)、292W(Tc) シャーシ実装
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