商品名称:PSMNR90-40YLHX
データマニュアル:PSMNR90-40YLHX.pdf
ブランド:Nexperia
年:23+
パッヶージ:LFPAK56
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:2000 件
PSMNR90-40YLHX 300A、ロジックレベルゲート駆動NチャネルエンハンスメントモードMOSFET、175 °CのLFPAK56Eパッケージ、先進のTrenchMOSスーパージャンクション技術を使用。この製品は、高性能パワー・スイッチング・アプリケーション向けに設計され、認定されています。
特長と利点
最大連続300 A
アバランシェ定格、100%テスト済み
NextPower-S3技術により、「ソフト・ボディ・ダイオード・リカバリを備えた超高速スイッチング」を実現
高いシステム効率と低EMI設計のための低QRR、Qc、Qco
ショットキープラス・ボディダイオードにより、関連する高損失リークなしでソフトなスイッチングを実現
強力なリニアモード1SOA定格
NextPower S3スーパージャンクション・テクノロジーを採用し、4.5Vゲート駆動に最適化
高信頼性LFPAK(Power SO8)パッケージ、銅クリップとはんだダイアタッチ付き、175 °Cまで耐熱。
露出したリードはウェーブはんだ付けが可能で、はんだ接合部の目視検査と高品質のはんだ接合により究極の信頼性を実現
低寄生インダクタンスと低抵抗
用途
高性能同期整流
DC-DCコンバータ
高性能・高効率サーバー電源
ブラシレスDCモーター制御
バッテリー保護
ロードスイッチとeヒューズ
モデル
ブランド
パッヶージ
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説明
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PSC2065JJ
PSC2065JJ SiCショットキーダイオードは、超高性能、低損失、高効率の電力変換アプリケーション向けです。TO-263-2スルーホールパワープラスチックパッケージに封止されたSiCショットキーダイオードは、温度に依存しない容量性ターンオフ、ゼロリカバリースイッチング動作…PSC2065LQ
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gan039−650 ntbz 1項は650 v、33 mオメガ窒化ガリウム(gan) fet、采ccpak1212i倒装実装、低インダクタンス、スイッチ読んだりと高い信頼性を持つ。gan039-650 ntbzの規格です:FETタイプ:Nチャネルです技術:GaNFET(窒化ガリウム)ですリークソース電圧(Vdss): 650 Vです25…GAN039-650NBBHP
gan039−650 nbbhp 1項は650 v、33 mオメガ窒化ガリウム(gan) fet、ccpak1212パッケージを采用。ワイヤレスボンディングを採用し、放熱と電気性能を最適化し、複雑なドライブや制御を必要としない、共源共柵構成を提供します。gan039-650 nbbhpの仕様です:FETタイプ:Nチャ…GANB4R8-040CBAZ
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gane3r9−150 qbaz窒化ガリウム(gan) fet 1項のgmは150 v 3.9 m、オメガ窒化ガリウム(gan) fet。gane3r9-150qbaは、優れた性能と非常に低いオン抵抗を持つ常閉モードデバイスです。Nexperia gane3r9-150qbaは、薄型四方扁平ワイヤレスパッケージ(VQFN)を採用しています。…連絡先電話:86-755-83294757
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