商品名称:A1F25M12W2-F1
データマニュアル:
A1F25M12W2-F1.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:MODULE
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:1000 件
A1F25M12W2-F1 この電源モジュールは、NTC付きACEPACK 1モジュールの4つのトポロジを備え、gen.2技術に代表されるSTの最先端炭化ケイ素MOSFETを統合しています。 このモジュール式ソリューションは、非常に高い電力密度を特徴とする複雑なトポロジを実現し、最高の効率要件を満たすために使用できます。
製品属性
テクノロジー：炭化ケイ素（SiC）
構成： 4 Nチャンネル
FET機能：炭化ケイ素（SiC）
ドレイン-ソース間電圧（Vdss）：1200V
25°Cでの連続ドレイン電流（Id）： 50A
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗（最大）： 34 mOhm @ 50A、18V
異なるIdでのVgs(th)（最大）： 4.9V @ 5mA
ゲート電荷（Qg）＠Vgs（最大）：147nC＠18V
入力キャパシタンス（Ciss）＠Vds（最大）： 3500pF @ 800V
動作温度： 175°C (TJ)
マウントタイプ：シャーシマウント
パッケージ/ケース: Module
サプライヤーデバイスパッケージ: ACEPACK 1
用途
- DC/DCコンバータ
- 高周波スイッチングアプリケーション
- はんだ付け
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 337A（Tc）、317A（Tc） 1.492kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 472A（Tc）、442A（Tc） 1.846kW（Tc）、1.161kW（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
10000
MOSFET - アレイ 1700V（1.7kV）、1200V（1.2kV） 124A（Tc）、89A（Tc） 602W（Tc）、395W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 317A（Tc）、227A（Tc） 1.253kW（Tc）、613W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 1200V（1.2kV）、700V 89A（Tc）、124A（Tc） 395W（Tc）、365W（Tc） シャーシ実装
Microchip
Module
1000
MOSFET - アレイ 700V 52A（Tc）、110A（Tc） 141W（Tc）、292W（Tc） シャーシ実装
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このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレンチ・ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術を利用しています。連絡先電話：86-755-83294757
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