商品名称:MASTERGAN2TR
データマニュアル:MASTERGAN2TR.pdf
ブランド:ST
年:23+
パッヶージ:31-VQFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
MASTERGAN2TRは、ゲート・ドライバと2つのエンハンスメントGaNトランジスタを非対称ハーフブリッジ構成で集積した先進のパワー・システム・レベル・パッケージです。 集積されたパワーGaNは、ドレイン・ソース間ブロッキング電圧が650V、RDS(ON)が低電圧側で150mΩ、高電圧側で225mΩであり、内蔵されたゲート・ドライバの高電圧側は、集積されたブートストラップ・ダイオードによって簡単に給電することができます。
製品特性
出力構成:ハーフブリッジ
アプリケーション:汎用
負荷タイプ:誘導性、容量性
技術:DMOS
オン抵抗(代表値):150 mOhm LS、225 mOhm HS
電流 - 出力/チャンネル: 6.5A、10A
電流 - ピーク出力: 17A
電圧-電源:4.75V~4.75V
電圧 - 負荷: 600V(最大)
動作温度: -40°C ~ 125°C (TJ)
特長:ブートストラップ回路
フェイルセーフ:過熱保護、UVLO
実装タイプ:表面実装
パッケージ/ケース: 31-VQFN露出ボトムパッド
サプライヤーデバイスパッケージ: 31-QFN (9x9)
アプリケーション
スイッチングモード電源
チャージャおよびアダプタ
高電圧PFCおよびDC-DCコンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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